FDFMA2P029Z
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:6-MicroFET(2x2)
技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDFMA2P029Z制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列:PowerTrench?零件狀態(tài):有源FET類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):20V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):3.1A(Ta)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):95 毫歐 @ 3.1A,4.5V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5VVgs(最大值):±12V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):720pF @ 10VFET功能:肖特基二極管(隔離式)功率耗散(最大值):1.4W(Tj)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:6-MicroFET(2x2)FDFMA2P029Z的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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