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NTLTD7900ZR2G供應(yīng)商

產(chǎn)品參考圖片

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安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志

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NTLTD7900ZR2G

制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-VDFN

技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTLTD7900ZR2G

制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6A

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 6.5A，4.5V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：15pF @ 16V

功率-最大值：1.5W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-VDFN

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