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NXH50C120L2C2ES1G供應(yīng)商
NXH50C120L2C2ES1G
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：26-PowerDIP 模塊（1，199，47，20mm）
技術(shù)參數(shù)：IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：NXH50C120L2C2ES1G制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：IGBT MOD 1200V 50A 26DIP系列：晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態(tài)：有源IGBT類型：-配置：三相反相器，帶制動(dòng)器電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V電流-集電極(Ic)（最大值）：50A功率-最大值：20mW不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，50A電流-集電極截止（最大值）：250μA不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：11.89nF @ 20V輸入：三相橋式整流器NTC熱敏電阻：是工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：26-PowerDIP 模塊（1，199，47，20mm）NXH50C120L2C2ES1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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