NVMYS3D3N06CLTWG供應(yīng)商
NVMYS3D3N06CLTWG
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：4-LFPAK
技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
（專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：NVMYS3D3N06CLTWG制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：26A（Ta），133A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 50A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：40.7nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2880pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），100W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：4-LFPAKNVMYS3D3N06CLTWG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
相關(guān)電子元件
