NVMFD5877NLT1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerTDFN
技術參數:MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
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參數詳情:
制造商產品型號:NVMFD5877NLT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:-零件狀態:不適用於新設計FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):60V25°C時電流-連續漏極(Id):6A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):39 毫歐 @ 7.5A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):540pF @ 25V功率-最大值:3.2W工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-PowerTDFNNVMFD5877NLT1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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