NVMD6N04R2G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術參數:MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
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參數詳情:
制造商產品型號:NVMD6N04R2G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:-零件狀態:有源FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:標準漏源電壓(Vdss):40V25°C時電流-連續漏極(Id):4.6A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):34 毫歐 @ 5.8A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):900pF @ 32V功率-最大值:1.29W工作溫度:-安裝類型:表面貼裝型封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)NVMD6N04R2G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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