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NVD5C684NLT4G供應(yīng)商

產(chǎn)品參考圖片

NVD5C684NLT4G參考圖片

安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志

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NVD5C684NLT4G

制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：DPAK

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK

（專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號：NVD5C684NLT4G

制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）

描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：38A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：16.5 毫歐 @ 15A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：700pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：27W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DPAK

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