NVBG020N090SC1
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK-7
技術參數:SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
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參數詳情:
制造商產品型號:NVBG020N090SC1制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:-零件狀態:有源FET類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):900V25°C時電流-連續漏極(Id):9.8A(Ta),112A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):15V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):28 毫歐 @ 60A,15V不同Id時Vgs(th)(最大值):4.3V @ 20mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):200nC @ 15VVgs(最大值):+19V,-10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4415pF @ 450VFET功能:-功率耗散(最大值):3.7W(Ta),477W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:D2PAK-7NVBG020N090SC1的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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