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NTMYS025N06CLTWG供應(yīng)商
NTMYS025N06CLTWG
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：4-LFPAK
技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTMYS025N06CLTWG制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：8.5A（Ta），21A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：27.5 毫歐 @ 7.5A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 13μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.8nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：330pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），24W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：4-LFPAKNTMYS025N06CLTWG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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