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NTD4810NH-35G供應(yīng)商

產(chǎn)品參考圖片

NTD4810NH-35G參考圖片

安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志

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NTD4810NH-35G

制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：I-PAK

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTD4810NH-35G

制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）

描述：MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：9A（Ta），54A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，11.5V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 30A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1225pF @ 12V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.28W（Ta），50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：I-PAK

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