NTD3813N-1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:I-PAK
技術參數:MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
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參數詳情:
制造商產品型號:NTD3813N-1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:-零件狀態:停產FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):16V25°C時電流-連續漏極(Id):9.6A(Ta),51A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):8.75 毫歐 @ 15A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):12.8nC @ 4.5VVgs(最大值):±16V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):963pF @ 12VFET功能:-功率耗散(最大值):1.2W(Ta),34.9W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔器件封裝:I-PAKNTD3813N-1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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