NTBG080N120SC1
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK-7
技術參數:TRANS SJT N-CH 1200V 30A D2PAK-7
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參數詳情:
制造商產品型號:NTBG080N120SC1制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:TRANS SJT N-CH 1200V 30A D2PAK-7系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:-零件狀態:有源FET類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200V25°C時電流-連續漏極(Id):30A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):110 毫歐 @ 20A,20V不同Id時Vgs(th)(最大值):4.3V @ 5mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):56nC @ 20VVgs(最大值):+25,-15V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1154pF @ 800VFET功能:-功率耗散(最大值):179W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:D2PAK-7NTBG080N120SC1的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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