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NSBC115EPDXV6T1G供應(yīng)商
NSBC115EPDXV6T1G
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：SOT-563，SOT-666
技術(shù)參數(shù)：SS SOT563 RSTR XSTR TR
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：NSBC115EPDXV6T1G制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：SS SOT563 RSTR XSTR TR系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置零件狀態(tài)：有源晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA電壓-集射極擊穿（最大值）：50V電阻器-基極(R1)：100 千歐電阻器-發(fā)射極(R2)：100 千歐不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA電流-集電極截止（最大值）：500nA頻率-躍遷：-功率-最大值：357mW安裝類型：表面貼裝型封裝：SOT-563，SOT-666NSBC115EPDXV6T1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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