NGTD28T65F2WP
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：模具
技術參數：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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參數詳情：
制造商產品型號：NGTD28T65F2WP制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：-電流-集電極脈沖(Icm)：200A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，75A功率-最大值：-開關能量：-輸入類型：標準柵極電荷：-25°C時Td（開/關）值：-測試條件：-反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：模具NGTD28T65F2WP的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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