NGTD21T65F2WP
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:模具
技術參數:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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參數詳情:
制造商產品型號:NGTD21T65F2WP制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):-電流-集電極脈沖(Icm):200A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,45A功率-最大值:-開關能量:-輸入類型:標準柵極電荷:-25°C時Td(開/關)值:-測試條件:-反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:模具NGTD21T65F2WP的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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