NGTB30N60SWG
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術參數:IGBT 600V 60A 189W TO247
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參數詳情:
制造商產品型號:NGTB30N60SWG制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 60A 189W TO247系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):60A電流-集電極脈沖(Icm):120A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A功率-最大值:189W開關能量:750μJ(開),540μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:90nC25°C時Td(開/關)值:57ns/109ns測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):200ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3NGTB30N60SWG的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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