NE5230DR2G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器，產品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
技術參數：IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
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參數詳情：
制造商產品型號：NE5230DR2G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC產品系列：線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）系列：-零件狀態：停產放大器類型：通用電路數：1輸出類型：滿擺幅壓擺率：0.25V/μs增益帶寬積：600kHz-3db帶寬：-電流-輸入偏置：40nA電壓-輸入補償：400μV電流-供電：1.1mA電流-輸出/通道：32mA電壓-供電，單/雙?(±)：1.8V ~ 15V，±0.9V ~ 7.5V工作溫度：0°C ~ 70°C安裝類型：表面貼裝型產品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）NE5230DR2G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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