NCP5111DR2G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:電源管理IC - 柵極驅動器,產品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術參數:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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參數詳情:
制造商產品型號:NCP5111DR2G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC產品系列:電源管理IC - 柵極驅動器包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)系列:-零件狀態:有源驅動配置:半橋通道類型:同步驅動器數:2柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET電壓-供電:10V ~ 20V邏輯電壓?-VIL,VIH:0.8V,2.3V電流-峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA輸入類型:非反相高壓側電壓-最大值(自舉):600V上升/下降時間(典型值):85ns,35ns工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型產品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)NCP5111DR2G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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