MUN5312DW1T1G
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置,封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
技術(shù)參數(shù):TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
(專注銷售安森美電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:MUN5312DW1T1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置零件狀態(tài):有源晶體管類型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙)電流-集電極(Ic)(最大值):100mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V電阻器-基極(R1):22 千歐電阻器-發(fā)射極(R2):22 千歐不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,10V不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA電流-集電極截止(最大值):500nA頻率-躍遷:-功率-最大值:250mW安裝類型:表面貼裝型封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363MUN5312DW1T1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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