MJD112T4G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
技術參數:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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參數詳情:
制造商產品型號:MJD112T4G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個產品系列:-零件狀態:有源晶體管類型:NPN - 達林頓電流-集電極(Ic)(最大值):2A電壓-集射極擊穿(最大值):100V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):3V @ 40mA,4A電流-集電極截止(最大值):20μA不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V功率-最大值:20W頻率-躍遷:25MHz工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63MJD112T4G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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