HGTP5N120BND
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
技術參數:IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
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參數詳情:
制造商產品型號:HGTP5N120BND制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1200V 21A 167W TO220AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:不適用於新設計IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):21A電流-集電極脈沖(Icm):40A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,5A功率-最大值:167W開關能量:450μJ(開),390μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:53nC25°C時Td(開/關)值:22ns/160ns測試條件:960V,5A,25 歐姆,15V反向恢復時間(trr):65ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-220-3HGTP5N120BND的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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