HGTP2N120CN
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
技術參數:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
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參數詳情:
制造商產品型號:HGTP2N120CN制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):13A電流-集電極脈沖(Icm):20A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,2.6A功率-最大值:104W開關能量:96μJ(開),355μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:30nC25°C時Td(開/關)值:25ns/205ns測試條件:960V,2.6A,51 歐姆,15V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-220-3HGTP2N120CN的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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