HGTP12N60A4
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
技術參數(shù):IGBT 600V 54A 167W TO220AB
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:HGTP12N60A4制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 54A 167W TO220AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):54A電流-集電極脈沖(Icm):96A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,12A功率-最大值:167W開關能量:55μJ(開),50μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:78nC25°C時Td(開/關)值:17ns/96ns測試條件:390V,12A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-220-3HGTP12N60A4的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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