HGTG11N120CN
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術參數:IGBT 1200V 43A 298W TO247
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參數詳情:
制造商產品型號:HGTG11N120CN制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1200V 43A 298W TO247系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):43A電流-集電極脈沖(Icm):80A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,11A功率-最大值:298W開關能量:400μJ(開),1.3mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:100nC25°C時Td(開/關)值:23ns/180ns測試條件:960V,11A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3HGTG11N120CN的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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