HGTD3N60C3S9A
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
技術參數:IGBT 600V 6A 33W TO252AA
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參數詳情:
制造商產品型號:HGTD3N60C3S9A制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 6A 33W TO252AA系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):6A電流-集電極脈沖(Icm):24A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,3A功率-最大值:33W開關能量:85μJ(開),245μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:10.8nC25°C時Td(開/關)值:-測試條件:480V,3A,82 歐姆,15V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63HGTD3N60C3S9A的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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