HGT1S7N60C3DS9A
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 14A 60W TO263AB
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:HGT1S7N60C3DS9A制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 600V 14A 60W TO263AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):14A電流-集電極脈沖(Icm):56A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,7A功率-最大值:60W開關(guān)能量:165μJ(開),600μJ(關(guān))輸入類型:標準柵極電荷:23nC25°C時Td(開/關(guān))值:-測試條件:480V,7A,50歐姆,15V反向恢復(fù)時間(trr):37ns工作溫度:-安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABHGT1S7N60C3DS9A的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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