HGT1S14N36G3VLS
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術(shù)參數(shù):IGBT 390V 18A 100W TO263AB
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:HGT1S14N36G3VLS制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 390V 18A 100W TO263AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):390V電流-集電極(Ic)(最大值):18A電流-集電極脈沖(Icm):-不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.2V @ 5V,14A功率-最大值:100W開關(guān)能量:-輸入類型:邏輯柵極電荷:24nC25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:-/7μs測試條件:300V,7A,25歐姆,5V反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABHGT1S14N36G3VLS的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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