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產(chǎn)品參考圖片
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HGT1S10N120BNST
  • 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
  • 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：HGT1S10N120BNST
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
  • 描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：NPT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：80A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：298W
  • 開關(guān)能量：320μJ（開），800μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：100nC
  • 25°C時Td（開/關(guān)）值：23ns/165ns
  • 測試條件：960V，10A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • HGT1S10N120BNST的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
    • 節(jié)約時間成本，提高采購效率，安森美官網(wǎng)（ON）授權(quán)代理
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