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FQP33N10供應(yīng)商

產(chǎn)品參考圖片

FQP33N10參考圖片

安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志

承諾原裝正品

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FQP33N10

制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-220-3

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FQP33N10

制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）

描述：MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：QFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：33A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 16.5A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：51nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：127W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-220-3

FQP33N10的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。

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