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FQD19N10LTM供應(yīng)商

產(chǎn)品參考圖片

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安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志

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FQD19N10LTM

制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：D-Pak

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FQD19N10LTM

制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）

描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：QFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：15.6A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 7.8A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：870pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D-Pak

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