FPF2C110BI07AS2
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:30-DIP 模塊
技術參數:IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
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參數詳情:
制造商產品型號:FPF2C110BI07AS2制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT MODULE 650V 40A 300W F2系列:晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態:有源IGBT類型:-配置:半橋電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):40A功率-最大值:300W不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A電流-集電極截止(最大值):250μA不同?Vce時輸入電容(Cies):-輸入:標準NTC熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 150°C安裝類型:通孔封裝:30-DIP 模塊FPF2C110BI07AS2的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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