FGY75T95SQDT
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3 變式
技術參數:IGBT 950V 75A
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參數詳情:
制造商產品型號:FGY75T95SQDT制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 950V 75A系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):950V電流-集電極(Ic)(最大值):150A電流-集電極脈沖(Icm):300A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.11V @ 15V,75A功率-最大值:434W開關能量:8.8mJ(開),3.2mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:137nC25°C時Td(開/關)值:28.8ns/117ns測試條件:600V,75A,4.7 歐姆,15V反向恢復時間(trr):259ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3 變式FGY75T95SQDT的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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