FDN306P
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SuperSOT-3
技術參數:MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
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參數詳情:
制造商產品型號:FDN306P制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:PowerTrench?零件狀態:有源FET類型:P 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):12V25°C時電流-連續漏極(Id):2.6A(Ta)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):40 毫歐 @ 2.6A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 4.5VVgs(最大值):±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1138pF @ 6VFET功能:-功率耗散(最大值):500mW(Ta)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:SuperSOT-3FDN306P的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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