FDMS3660S
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerTDFN
技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
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參數詳情:
制造商產品型號:FDMS3660S制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:PowerTrench?零件狀態:有源FET類型:2 N 溝道(雙)非對稱型FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):30V25°C時電流-連續漏極(Id):30A,60A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):8 毫歐 @ 13A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1765pF @ 15V功率-最大值:1W工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-PowerTDFNFDMS3660S的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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