FDD3510H
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD
技術(shù)參數(shù):MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDD3510H制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列:PowerTrench?零件狀態(tài):有源FET類型:N 和 P 溝道,共漏FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):80V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.3A,2.8A不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):80 毫歐 @ 4.3A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):800pF @ 40V功率-最大值:1.3W工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252ADFDD3510H的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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