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ECH8306-TL-E供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
ECH8306-TL-E
參數(shù)詳情：
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET P-CH 100V 2A ECH8
系列: -
FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓（Vdss）: 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 2A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 225 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 33nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 1600pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.6W
安裝類型: 表面貼裝
產(chǎn)品封裝: 8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝: 8-ECH
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