AFGY120T65SPD
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術參數:IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
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參數詳情:
制造商產品型號:AFGY120T65SPD制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:Automotive, AEC-Q101零件狀態:有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):160A電流-集電極脈沖(Icm):360A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,120A功率-最大值:714W開關能量:6.6mJ(開),3.8mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:125nC25°C時Td(開/關)值:40ns/80ns測試條件:400V,120A,5 歐姆,15V反向恢復時間(trr):107ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3AFGY120T65SPD的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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