AFGB40T65SQDN
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術(shù)參數(shù):650V/40A FS4 IGBT TO263 A
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:AFGB40T65SQDN制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:650V/40A FS4 IGBT TO263 A系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101零件狀態(tài):有源IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):80A電流-集電極脈沖(Icm):160A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A功率-最大值:238W開關(guān)能量:858μJ(開),229μJ(關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷:76nC25°C時Td(開/關(guān))值:17.6ns/75.2ns測試條件:400V,40A,6 歐姆,15V反向恢復(fù)時間(trr):131ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABAFGB40T65SQDN的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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